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NVD5862N
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
160
120
80
40
T J = 25 ° C V GS = 10 V
6.2 V
6.0 V
5.8 V
5.6 V
5.2 V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
V DS ≥ 5 V
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
5
20
0
3
T J = 125 ° C
4
5
T J = ? 55 ° C
6
7
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.006
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
I D = 45 A
T J = 25 ° C
0.005
0.004
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.000
4
5
6
7
8
9
10
0.003
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
2.2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = 45 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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